Для схем с дьявольски патетичными усилиями и дьявольски великими токами созданы полупроводниковые приборы, величаемые тиристорами. один-одинешенек тиристор может ломить при усилиях до 4000 В и токах до 4000 А. В преобразователях тиристоры связывают в каскады, рассчитанные на четверть миллиона вольт и более.
Тиристор заключается из двух транзисторов (npn и pnp), размещенных столь, что коллектор pnp-части тиристора изображает базой npn-части, а коллектор npn-части базой pnp-части. Если инжектировать небольшой ток в базу npn-части, то он создаст для эмиттера прямое смещение, и возникнет ток эмиттера. Этот ток, сосредоточенный коллектором npn-части, становится током базы pnp-части, кой зажигает появление тока эмиттера этой части. экий процесс будет повторяться до тех пор, покуда округ коллективного коллекторного перехода не сконцентрируется заряд, достаточный для нейтрализации связанного заряда, и тогда усилие на нем понизится до уровня ~0,7 В, отвечающего насыщению. столь происходит «включение» тиристора. «Выключается» же он при понижении тока гуще кой-какого порогового уровня, именуемого удерживающим током. Если сделать площадь эмиттера хватит крупный, то пустяково можно переключать колоссальные токи.
Тиристоры пропускают ток всего в одном фазисе переменного тока; лишь с изобретением симистора вырос чистый полупроводниковый переключатель переменного тока для регуляторов электродвигателей, регуляторов освещенности и прочих устройств. Симистор заключается из двух выполненных на одной кремниевой пластинке тиристоров, включенных параллельно, однако полярно. один-одинешенек из тиристоров пропускает ток в одном полупериоде, а иной в вытекающем. Для включения симистора предусматривается заправляющий электрод. дабы выключить его, потребно перервать ток. занимательной особенностью симисторов изображает то, что они коротают ток любого течения и могут переключаться либо позитивным, либо негативным заворачивающим сигналом.
Фототранзистор. Когда на транзистор повергается свет хватит крупный энергии, т.е. с хватит малой длиной волны, в нем освобождаются электронно-дырочные четы. В нормальных обстоятельствах они рекомбинируют и исчезают. однако, если четы возникают вблизи p-n-перехода с усилием возвратного смещения, они могут диффундировать в район перехода. один-одинешенек из носителей может быть ускорен усилием, водящимся на переходе, и тогда он приобретает способность освобождать лишние заряды в процессах столкновения. В материале n-типа ускоряется дырка, в материале p-типа электрон. Поскольку заряды прут ток спустя переход, он возникает и во внешней цепи, т.е. свет преобразуется в электрический ток.
Полевые транзисторы. Еще в 1930 Лилиенфельд мастерил попытки распоряжаться проводимостью неглубокого ряда в полупроводниковом материале. В 1948 Шокли и Пирсон оповестили в печати об управлении токами за счет неглубокого полевого эффекта. однако лишь в начале 1960-х годов вырос утилитарны пригодный МОП-транзистор (металл оксид полупроводник). В отличие от биполярного кремниевого транзистора, МОП-транзистор изображает униполярным, т.е. его поступок основано на управлении основными носителями.
|
